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■测试整合专区>高速离子迁移测试系统
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(HSIR-2003)高速离子迁移测试系统
(HSIR-2003)High Speed Ion Migration Measurement System
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近年来在电子机器提高功能和性能的同时，也要求小型化与重量轻，其IC构装密度日趋提高的情形下迅速发展，使得导体之间距一再逼近趋密，加上有环保意识高涨，使用免洗助焊剂、无铅焊接技术、开发环保型印刷电路板为必然趋势，因而造成板面导体间可能发生"离子迁移"(ION
MIGRATION)的机会增大，使得短路故障等问题更容易发生。
尤其是可便携式或移动型的电子产品如PDA、手机、Table
PC..等，当使用环境经常变动时，可能会因为温度与湿度的急遽变化而产生水气凝结的"结露"现象，进而在工作电流的驱使下，很可能在导体间出现离子迁移的现象，使得机器发生漏电而失效，在缩短产品开发时间的同时，同样也要确保产品的可靠度
及稳定性。
为了满足这两方面的需求，必须更有效、更精确地实施相关环境试验测试。昆山庆声电子为了协助客户达
到这方面的环境试验需求，将环境试验设备与电气特性量测设备互相结合，研发设计出了能够在环境试
验条件下，对待测物的相关特性进行连续且高速的动态测量，实时把握待测物电气或物理特性的动态
变化，并判定与记录各种异常状况之自动测量系统，简称HSIR量测系统。(离子迁移测试系统)
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世界首创三种语系操作接口(简、繁、英)
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各轨同时同步高速量测绝缘电阻与动态离子迁移现象
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宽裕量测与施加电压0.5V～600V(分辨率0.1V)
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高阻量测可高达10^14Ω(ohm)
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量测轨道扩充弹性大而且换装容易，可单独扩充一轨，最大可扩充128轨
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产品名称 |
(HSIR-2003)高速离子迁移测试系统 |
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测定电压范围 |
0.5V～
600V(0.1V STEP) |
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最大channel数 |
48 Channel |
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电阻量测范围 |
1×10^4Ω～1
×10^14Ω |
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直流电流测定范围 |
(10pA～500uA)5段直流电流量测范围可设定 |
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Bias Supply
方式 |
1 Power Supply
→
1 CH
(channel独立设定/独立动作)
若任1CH短路时，Alarm显示，其它CH继续执行试验 |
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资料取样速度 |
每1CH最快30ms(各轨独立设定不同取样时间) |
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自我校正机能 |
1.Bias电压自我测试
2.A/D转换器、I/V转换器可自我诊断
3.提供5个1MΩ～10GΩ校验比对用电阻 |
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HSIR
高速離子遷移測試系統-機台擺設建議示意圖 |
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缩图 |
名称 |
档案大小 |
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(HSIR-2003)
高速离子迁移测试系统 |
(size: 1.4MB)
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SIR相关资料整理 |
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SIR试验条件
(离子迁移&CAF) |
无铅制程的相关可靠度问题，对于PCB&FPC还有焊锡业者来说，表面绝缘电阻降低、板材产生离子迁移与CAF(阳极导电性细丝物)..等，都是现今所必须要面对的课题之一..... |
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专有名词解释-PCB印刷电路板 |
离子迁移与相关印刷电路板专有名词介绍与说明 |
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高速离子迁移测试系统介绍
高速表面绝缘电阻量测系统介绍-THS使用注意事项、待测物注意事项、待测物与试验炉、HSIR注意事项...等内容. |
(size:
420 KB) |
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离子迁移&绝缘电组
运用问答题方式.让我们更加了解SIR相关内容资料. |
(size:276KB) |
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