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英文名称 |
中文名称 |
说明 |
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A-Si Amorphus
Silicon |
非晶硅 |
利用溅镀或是化学气相沉积方式在玻璃或金属基板上生成薄膜的薄膜太阳能生产方式。 |
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BIPV
Building-integrated
photovoltaic |
一体型太阳能电池模板 |
BIPV是结合太阳能发电与建筑物外墙两项功能,将太阳电池模块(module)或数组(array)整合、设计并装置在建筑物上的双用途产品。 |
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CdTe Cadmium
telluride |
碲化镉 |
CdTe属于化合物半导体,电池转换效率不差,若使用耐高温(约600℃)的硼玻璃作为基板转换效率可达16%,而使用不耐高温但是成本较低的钠玻璃做基板也可达到12%的转换效率,转换效率远优于非晶硅材料。 |
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CEI 904 |
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具光谱照射光参考数据之太阳原件量测原理,等同IEC
904 |
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CIS Copper
Indium Diselenide |
硒化铟铜 |
属于化合物半导体,这样的材料吸光范围广稳定性好,若是用聚光装置辅助,转换效率可达30%,标准环境测试下最高也可达到19.5%,模块的话,可达约13%。 |
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CIGS Copper
Indium Gallium Diselenide |
铜铟镓硒 |
属于化合物半导体,这样的材料吸光范围广稳定性好,若是用聚光装置辅助,转换效率可达30%,标准环境测试下最高也可达到19.5%,模块的话,可达约13%。 |
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Dye-Sensitized Solar Cell |
色素敏化染料 |
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GaAs
Multijuction |
多接面砷化镓 |
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Nc-Si
Nanocrystalline Silicon |
微晶硅 |
是非晶硅的改良材料,其结构介于非晶硅和晶体硅之间,主要是在非晶体结构中具有微小的晶体粒子,因此同时具有非晶硅容易薄膜化,制程便宜的特性,以及晶体硅吸收光谱广,且不易出现光劣化效应的优点,转换效率也较高。 |
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NOCT Nominal
Operating Cell Temperature |
标准操作电池温度 |
在标准参考环境(SRE)下,开架式安装模块之太阳能电池之平衡平均接面温度。 |
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Mc-Si(Microcrystalline
Silicon) |
微晶硅 |
是非晶硅的改良材料,其结构介于非晶硅和晶体硅之间,主要是在非晶体结构中具有微小的晶体粒子,因此同时具有非晶硅容易薄膜化,制程便宜的特性,以及晶体硅吸收光谱广,且不易出现光劣化效应的优点,转换效率也较高。 |
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PECVD Plasma
Enhanced Chemical Vapor
Deposition |
电浆体增强化学气相沈积 |
在二个电极板间外加一个射频电压,于是在二个电极之间的气体会解离而产生电浆,使用电浆的辅助能量,使得沈积反应的温度得以降低。 |
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Polymer
solar cells |
有机导电高分子 |
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Sputtering |
真空溅镀 |
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SRE |
标准参考环境 |
倾斜角度(与水平成45度)、总照射度(800Wm^-2)、周围温度(20℃)、风速(1ms^-1)、电力负载(无开路)。 |
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STC |
标准测试条件 |
电池温度(25℃)、照射度(1000Wm^-2)符合规范CEI
904-3所要求之参考太阳能光谱之照射分布。 |
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Thin-film Photovoltaic |
薄膜太阳能电池 |
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